삼성전자가 4~6일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 FMS 2026에 참가, 차세대 3D 메모리 아키텍처인 'zHBM'과 'zNAND-O' 목업(Mock-up)을 공개했다고 5일 밝혔다. FMS는 매년 미국에서 개최되는 세계 최대 규모의 메모리 및 스토리지 전문 반도체 전시회다.
삼성전자에 따르면 zHBM은 AI 가속기 위에 HBM을 직접 적층하는 구조의 차세대 메모리 기술이다. 메모리와 AI 가속기 간 데이터 이동 거리를 최소화해 성능과 전력 효율을 높인 게 특징이다. 특히 고객 맞춤형 설계가 가능한 3D 메모리 솔루션으로, 메모리와 AI 가속기 사이에 위치한 인터레이어에 맞춤형 IP를 추가해 메모리 용량 확장해 가속기 성능 강화 등 제품 특성을 최적화할 수 있다. 삼성전자는 고객과 협업을 바탕으로 AI 프로세서와 메모리 간 최적화를 추진해 zHBM의 성능을 극대화할 계획이다.
삼성전자는 삼성전자는 D램뿐 아니라 NAND에서도 3D 메모리 아키텍처 비전도 제시했다. zNAND-O는 삼성전자가 개발 중인 차세대 고성능 NAND 플래시 솔루션으로, 기존 V-NAND의 수직 적층 기술을 활용하고 TSV 기술을 결합해 4단 또는 8단 반도체 칩을 3D 패키징한 제품이다.
삼성전자는 400단 이상을 구현한 10세대 'V10 BV-NAND'도 업계 최초로 공개했다. 웨이퍼 본딩과 '3 Stack' 기술을 적용해 메모리 집적도를 이전 세대(V9)보다 약 58% 높였으며, 읽기·쓰기 성능과 입출력(I/O) 속도도 전 세대 대비 행상시켜 고성능·고용량 NAND 시장에 최적화된 경쟁력을 확보했다.
삼성전자는 "메모리와 스토리지 기술 혁신을 바탕으로 AI 인프라 경쟁력을 강화하고, 메모리와 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 통합 솔루션을 통해 AI 시대 반도체 리더십을 지속 확대해 나갈 계획"이라고 밝혔다.
김세형 기자 fax123@sportschosun.com