삼성전자가 30일 세계 최초로 차세대 '8기가비트(Gb) LPDDR4 모바일 D램'을 개발했다고 밝혔다.
이번 삼성전자가 개발에 성공한 '8기가비트 LPDDR4 모바일 D램'은 최첨단 20나노급 공정을 적용한 제품으로 해당 칩 4개를 적층해 '4기가바이트(GB) D램'을 구성할 수 있다. 특히 '8기가비트 LPDDR4 모바일 D램'은 삼성전자가 독자 개발하고 제덱(JEDEC)이 표준으로 확정한 LVSTL(Low Voltage Swing Terminated Logic) IO 인터페이스 기술을 적용해 기존 LPDDR3 보다 2배 빠른 데이터 처리속도인 3,200Mb/s를 모바일 D램 최초로 구현했고 1.1볼트(V) 저전력 아키텍쳐를 적용해 소비전력도 40% 낮췄다.
삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀장 전영현 부사장은 "차세대 LPDDR4 모바일 D램은 내년 D램 시장에서 가장 큰 비중을 차지하게 될 모바일 D램의 지속 성장에 크게 기여할 것으로 기대된다"며, "향후에도 차세대 모바일 D램과 솔루션을 한 발 앞서 출시해 글로벌 모바일 업체들이 혁신적인 모바일 기기를 적기에 출시하고 소비자에게 더욱 편리함을 제공하는 데 기여할 것이다"라고 말했다. 삼성전자는 세계 최소형 20나노급 대용량(8기가비트·6기가비트·4기가비트) 모바일 D램 라인업을 확대해 제품 경쟁력 우위를 지속 유지하고 프리미엄 시장을 선점해 나갈 계획이다.
[소비자인사이트/스포츠조선] 송진현 기자 jhsong@sportschosun.com
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