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CXMT, 中최초·세계 4번째 10나노대 D램 양산 성공…韓과 기술격차 좁혀
서울중앙지검 정보기술범죄수사부(김윤용 부장검사)는 삼성전자 임직원 출신인 A씨 등 5명을 부정경쟁방지법 위반(영업비밀국외누설 등) 및 산업기술보호법 위반(국가핵심기술국외누설 등) 혐의로 구속기소 했다고 23일 밝혔다.
중국 창신메모리(CXMT) 개발팀 직원 등 5명도 같은 혐의로 불구속기소 됐다. CXMT는 중국 지방정부 및 중국 반도체 설계회사의 출자를 통해 2016년 설립된 중국 최초의 D램 반도체회사다.
검찰에 따르면 CXMT는 설립 직후 삼성전자 부장 출신인 A씨를 개발실장으로 영입했다.
A씨는 삼성전자 독자 기술이었던 10나노대 D램 공정 기술을 가져오기 위해 공정별 핵심 인력 영입에 나섰다. 위장 회사를 만든 뒤 주기적으로 사무실을 변경하고, 출국금지·체포에 대비한 암호를 만드는 등 철저함도 보였다.
이 과정에서 삼성전자의 연구원이었던 B씨는 D램 공정의 핵심인 PRP(Process Recipe Plan) 정보를 자필로 베껴 적어 CXMT로 이직했고, CXMT는 당시 세계 유일의 10나노대 D램 공정 기술을 통째로 확보했다.
이후 CXMT는 삼성전자 임직원들을 추가로 영입하면서 본격적인 D램 개발에 착수했다. 개발 과정에서 협력업체를 통해 SK하이닉스의 반도체 공정 관련 기술까지 추가로 확보했다.
이처럼 한국의 핵심 반도체 기술들을 모두 손에 넣은 CXMT는 결국 2023년 중국 최초이자 세계에서 4번째로 10나노대 D램 양산에 성공했다.
검찰은 이번 범행을 통해 한국 기업의 핵심 산업 기술이 유출되고, 막대한 경제적 피해가 발생했다고 지적했다.
세계 시장 점유율 변화를 근거로 추정한 삼성전자의 2024년 매출액 감소만 5조원에 달하며, 향후 국가 경제 전반에 미칠 악영향을 모두 합하면 피해액은 최소 수십조원에 달할 것이라는 게 검찰의 시각이다.
검찰은 "직접 수사를 통해 국내에서 발생한 유출 범행은 물론, 중국 현지에서 이뤄진 개발 범행의 전모를 밝혀 처벌했다"며 "앞으로도 국가 경제 및 기술 안보를 위협하는 산업기술의 국외 유출 범죄에 엄정 대응하겠다"고 밝혔다.
trauma@yna.co.kr
<연합뉴스>
