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삼성전자가 '8GB HBM2(고대역폭 메모리) D램' 양산 규모를 늘린다고 18일 밝혔다. 슈퍼컴퓨터(HPC) 시장뿐 아니라 네트워크, 그래픽카드 시장까지 물량을 공급하기 위한 일환에서다.
8GB HBM2 D램은 1개의 버퍼 칩 위에 8Gb(기가비트) HBM2 D램 칩(20나노 공정 기반) 8개를 적층한 구조로, 각 칩에 5000개 이상의 미세한 구멍을 뚫고 총 4만개 이상의 'TSV 접합볼'로 수직 연결한 '초고집적 TSV 설계 기술'이 적용됐다.
대용량의 정보를 처리시 일부 TSV에서 데이터 전달이 지연될 경우 성능 저하가 발생하지 않도록 다른 TSV로 경로를 전환시켜 최적의 성능도 유지할 수 있도록 했다.
삼성전자 관계자는 "업계에서 유일하게 양산 중인 8GB HBM2 D램 공급 확대로 고객들이 차세대 시스템을 적기에 출시하는 데 기여하게 됐다"며 "차세대 HBM2 D램 라인업 출시를 통해 다양한 글로벌 고객들과 사업 협력 체제를 강화해 나갈 것"이라고 말했다.
김세형 기자 fax123@sportschosun.com