삼성전자 DS부문서 'IEEE 펠로' 배출…반도체 기술력 입증

세계 최대 학회 IEEE…송기봉 부사장·한진우 상무 선정

차세대 이동통신 기술 상용화 및 3D D램 개발 공로 인정



(서울=연합뉴스) 강태우 기자 = 삼성전자 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS)부문에서 미국 전기전자공학회(IEEE) 펠로(석학회원)가 배출됐다. IEEE는 세계 최대 규모의 전기·전자·컴퓨터·통신 분야 학회다.



22일 삼성전자 반도체 뉴스룸에 따르면 DS부문 DSRA(미주 반도체연구소) 시스템LSI 연구소장 송기봉 부사장과 반도체연구소 D램 TD(기술개발)팀 한진우 상무가 2026년 IEEE 펠로로 선정됐다.

IEEE 펠로는 미국 전기전자공학회가 회원에게 부여하는 최고 명예 등급으로, 전체 회원의 상위 0.1%만 오를 수 있는 권위 있는 자격이다.

전기·전자공학 전반에서 10년 이상 경험을 쌓고, 통신·반도체 등 다양한 분야에서 탁월한 연구개발 성과를 통해 산업과 사회 발전에 기여한 인물을 대상으로 매년 IEEE 이사회가 엄정한 기준에 따라 선정한다.

글로벌 빅테크 기업들을 거쳐 삼성전자 미주 반도체연구소에 합류한 송 부사장은 현재 시스템LSI 미주 연구소를 총괄하며 모뎀, 커넥티비티, 온디바이스 AI, 시스템 온 칩(SoC) 기술 개발을 이끌고 있다.

현재까지 무선통신, 신호처리, 모뎀-RF 시스템을 위한 인공지능(AI) 기술 등과 관련해 다수의 연구 논문을 발표했고, 80건이 넘는 특허를 보유하고 있다.

특히 업계 최초 5세대 이동통신(5G) 모뎀 개발, 5G 밀리미터파(mmWave) 송수신기 기술 고도화, 엑시노스 모뎀 5400 및 엑시노스 2500에 적용된 비지상 네트워크(NTN) 기술 기반 위성 응급 서비스 구현 등 차세대 이동통신 기술의 상용화를 이끈 성과를 인정받아 펠로로 선정됐다.



DS부문 반도체연구소에서 차세대 D램 연구 조직을 담당하는 한 상무는 반도체 미세화 한계를 극복하기 위해 '차세대 3D D램' 연구를 선도하며 새로운 메모리 구조의 가능성을 탐구해 왔다.

D램 셀을 평면이 아닌 수직 방향으로 쌓아 칩 면적당 저장 용량을 확장하는 이 접근법은 차세대 메모리 기술의 핵심으로 주목받고 있다.

미 항공우주국을 거쳐 삼성전자에 합류한 한 상무는 200건 이상의 특허와 160편 이상의 SCI급 논문을 발표하며, 메모리, 로직, 센서 등 다양한 분야에서 연구 성과를 쌓아왔다.

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