삼성전자, 美서 차세대 V낸드 솔루션 공개

삼성전자가 8일(현지시각) 미국 산타클라라 컨벤션 센터에서 열린 '플래시 메모리 서밋 2017(Flash Memory Summit)'에서 세계 최대용량의 V낸드와 차세대 SSD 솔루션을 선보였다고 9일 밝혔다. 플래시 메모리 서밋은 매년 미국에서 개최되는 세계 최대 플래시 메모리 업계 콘퍼런스로 올해는 8월8일부터 10일까지 진행된다.

삼성전자는 올해 플래시 메모리 서밋에서 세계 최대 용량의 '1Tb V낸드', 서버 시스템의 집적도를 향상 시킬 수 있는 ' NGSFF(Next Generation Small Form Factor) SSD', 기존 SSD보다 성능을 획기적으로 향상시킨 'Z-SSD' △신개념 데이터 저장방식을 적용한 'Key Value SSD' 등 혁신적인 V낸드 기반 신기술을 공개했다.

삼성전자에 따르면 1Tb 낸드는 16단을 적층해 하나의 단품 패키지로 2TB를 만들 수 있어, SSD의 용량을 획기적으로 늘릴 수 있다. 삼성전자는 1Tb V낸드가 적용된 최대용량의 SSD 제품을 2018년에 본격 출시할 예정이다.

서버 시스템 내 저장장치의 공간활용도를 극대화 할 수 있는 신규 SSD 규격인 'NGSFF SSD'도 발표했다.

기존 M.2 SSD로 구성된 시스템을 'NGSFF SSD'로 대체하면 동일 시스템 공간 기준 저장용량을 4배까지 향상 시킬 수 있다.

삼성전자는 NGSFF SSD를 4분기부터 양산해 고객 수요에 대응하고, 내년 1분기에 JEDEC 표준화를 완료해 데이터센터 및 다양한 서버 고객들이 더욱 효율적으로 시스템을 구축할 수 있게 할 계획이다.

삼성전자 관계자는 "지속적인 V낸드 솔루션 개발을 통해 고객 가치를 극대화 하고, 향후 AI, 빅데이터 등 미래 첨단 반도체 수요에 선제적으로 대응해 나갈 것" 이라고 말했다.


김세형 기자 fax123@sportschosun.com